На завершившемся на прошлой неделе мероприятии International Solid-State Circuits Conference, компании Samsung и Hynix продемонстрировали первые инженерные образцы модулей оперативной памяти DDR4. Изделия Samsung базируются на микросхемах, изготовленных по 30 нм технологии, и характеризуются возможностью работать на эффективной частоте 2133 МГц при номинальном напряжении 1,2 вольта. Для производства микросхем Hynix использует 38 нм технологию, но показанная память работает на частоте 2400 МГц при напряжении 1,2 вольта.

Обе компании рассчитывают начать массовое производство микросхем DDR4 уже в этом году, после освоения 20 нм технологических норм. Впрочем, широкомасштабное внедрение памяти, как считают аналитики, начнётся только в 2014 году.

Согласно планам JEDEC, стандарт DDR4 будет изначально продвигаться именно в серверные системы во многом благодаря энергоэффективности новой памяти. Первые модули с поддержкой ECC будут иметь объём 32 Гбайт и работать на частоте до 2400 МГц ("предел" на уровне стандарта). Максимальная частота "гражданской" памяти, также на уровне стандарта, будет равняться 3200 МГц.